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NTD3808N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
V GS = 0 V
10
Q gt
2000
1500
1000
C iss
T J = 25 ° C
8
6
4
Q gs
Q gd
500
C oss
2
I d = 15 A
0
C rss
0
T J = 25 ° C
0
2
4 6 8 10 12
14
16
0
4
8 12 16 20
24
28
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
15
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 12 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
14
13
12
11
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
30
25
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 14 A
100
10 m s
100 m s
20
10
1 ms
15
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
10
5
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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